衡升科技利用EBIRCH手法透过Kleindiek PS8准确定位出Gate Oxide Leak

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衡升科技利用EBIRCH手法透过Kleindiek PS8准确定位出Gate Oxide Leak

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  • 2020-05-07
衡升科技利用EBIRCH手法透过Kleindiek PS8准确定位出Gate Oxide Leak

 

  衡升科技為世界领先的奈米探针制造商,并同为Kleindiek nanoprober 在台湾及中国区第一优先代理商。

  近期,衡升科技成功使用EBIRCH手法在衡升科技自有实验室利用PW8系统精准定位出Gate Oxide的问题。

  搭配衡升科技自产奈米探针,能够定位出最低漏电值为E-10Defect

 

  以下为E-beam相关应用-EBIRCH的范例介绍

   首先利用InGaAs手法定位出大范围的漏电

     

   接着利用Delayer手法将样品准备至该层的Drain或是Source是连在一起的。

   后续再藉由EBIRCH手法来快速并精准定位出Gate到Drain或是Gate到Source的那个接点有问题,最后收敛至晶体管大小的leak点

     

   在EBIRCH定位后,使用TEM执行PFA,发现确实有gate oxide的问题

     

 

  以下为E-beam相关利用之简短说明 

Technique

Method

Object

Defect Sorts

Full Name of Technique

EBAC

absorb

Metal Line

open, short

Electron Beam Absorbed Current

EBIC

e-p pair

p-n junction

p-n junction

Electron Beam Induced Current

EBIRCH

Heat

Different material

short

Electron Beam Induced Resistance Change

RCI

Absorb

Metal line

Local High R

Resistive Contrast Imaging

 

  如有兴趣或有任何问题,请洽电衡升科技:+886-3-666-1059