衡升科技利用EBIRCH手法透过Kleindiek PS8准确定位出Gate Oxide Leak
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- 2020-05-07
![衡升科技利用EBIRCH手法透过Kleindiek PS8准确定位出Gate Oxide Leak](/archive/news/item/NEWS/20200507/4.png)
衡升科技為世界领先的奈米探针制造商,并同为Kleindiek nanoprober 在台湾及中国区第一优先代理商。
近期,衡升科技成功使用EBIRCH手法在衡升科技自有实验室利用PW8系统精准定位出Gate Oxide的问题。
搭配衡升科技自产奈米探针,能够定位出最低漏电值为E-10的Defect。
以下为E-beam相关应用-EBIRCH的范例介绍
首先利用InGaAs手法定位出大范围的漏电
接着利用Delayer手法将样品准备至该层的Drain或是Source是连在一起的。
后续再藉由EBIRCH手法来快速并精准定位出Gate到Drain或是Gate到Source的那个接点有问题,最后收敛至晶体管大小的leak点
在EBIRCH定位后,使用TEM执行PFA,发现确实有gate oxide的问题
以下为E-beam相关利用之简短说明
Technique |
Method |
Object |
Defect Sorts |
Full Name of Technique |
EBAC |
absorb |
Metal Line |
open, short |
Electron Beam Absorbed Current |
EBIC |
e-p pair |
p-n junction |
p-n junction |
Electron Beam Induced Current |
EBIRCH |
Heat |
Different material |
short |
Electron Beam Induced Resistance Change |
RCI |
Absorb |
Metal line |
Local High R |
Resistive Contrast Imaging |
如有兴趣或有任何问题,请洽电衡升科技:+886-3-666-1059